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中科院研究團(tuán)隊(duì)：DLP技術(shù)打印AlN陶瓷
行業(yè)資訊
1651天前
氮化鋁（AlN）具有很高的理論熱導(dǎo)率（319 W /（m·K））,具有良好的電絕緣性，低的熱膨脹系數(shù)和較高的機(jī)械強(qiáng)度，是一種在散熱器和微電子應(yīng)用的有廣泛前途的陶瓷材料。DLP技術(shù)可以制造具有微小結(jié)構(gòu)的小型組件，中科院研究團(tuán)隊(duì)基于此種技術(shù)打印AlN陶瓷并對(duì)其導(dǎo)熱性和力學(xué)性能進(jìn)行了探究。
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